<acronym id="6n1lx"></acronym>
    <acronym id="6n1lx"></acronym>
    <td id="6n1lx"><ruby id="6n1lx"></ruby></td>

    <acronym id="6n1lx"><strong id="6n1lx"></strong></acronym>

    <track id="6n1lx"></track>

    王德君

    王德君,男,畢業于清華大學,博士,大連理工大學教授、博士生導、碩士生導師。

    王德君畢業院校清華大學學位/學歷博士專業方向材料學任職院校大連理工大學

    目錄

    1 人物經歷

    ? 教育經歷

    ? 工作經歷

    2 學術成果

    ? 發表論文

    ? 授權專利

    ? 代表著作

    ? 科研項目

    人物經歷

    教育經歷

    吉林大學半導體化學專業本科、碩士

    清華大學材料學博士 [1] 

    工作經歷

    先后服務于北京大學、名古屋大學和奈良先端科學技術大學院大學,現大連理工大學教授,博士生導師(微電子、控制、凝聚態物理)。 [1] 

    學術成果

    編輯

    發表論文

    Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)

    Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411

    楊超,王德君.Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26

    Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018

    Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118

    王德君,何淼,秦芝,黃慶,都時禹.碳化鈾核燃料缺陷結構的研究現狀[J],核技術,2017,40(7):83-94 [2] 

    授權專利

    一種降低SiC MOS界面態密度的表面預處理方法

    鍍金金屬襯底上的氮化鋁鎵銦/二硫化鉬鎢膜及制備方法

    石墨烯改性圖形化金屬襯底上的氮化鎵基薄膜及制備方法

    一種柔性聚酰亞胺襯底上的氮化鎵基薄膜及其制備方法

    一種自感知便攜式圖像無線監控設備及使用方法

    一種降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面態密度的方法 [2] 

    代表著作

    半導體材料與器件表征技術 [2] 

    科研項目

    SiC MOS器件界面缺陷及其鈍化研究, 國家自然科學基金項目, 2014/09/01, 完成

    系統級封裝技術工藝加工, 企事業單位委托科技項目, 2011/11/03-2011/12/31, 進行

    新一代半導體SiC材料表面處理技術, 省、市、自治區科技項目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成

    SiC半導體MOS結構界面態研究, 主管部門科技項目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成

    2006年度教育部新世紀優秀人才支持計劃, 主管部門科技項目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成

    SiC MOS器件近界面氧化物缺陷與閾值電壓漂移抑制技術研究, 國家自然科學基金項目, 2018/08/16,


    相關文章