<acronym id="6n1lx"></acronym>
    <acronym id="6n1lx"></acronym>
    <td id="6n1lx"><ruby id="6n1lx"></ruby></td>

    <acronym id="6n1lx"><strong id="6n1lx"></strong></acronym>

    <track id="6n1lx"></track>

    羅姆宣布推出內置SiC肖特基勢壘二極管的混合型IGBT

    7月19日,據蓋世汽車報道,半導體制造商羅姆(ROHM)宣布推出集成650V耐壓、內置SiC肖特基勢壘二極管的Hybrid IGBT(混合型IGBT),即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),并符合汽車可靠性標準AEC-Q101。新產品適用于處理大功率的汽車和工業應用,例如光伏電源調節器、車載充電器以及電動和電氣化汽車(xEV)中使用的DC/DC轉換器。



    報道中還稱,RGWxx65C系列在IGBT的反饋單元(續流二極管)中采用了羅姆的低損耗SiC肖特基勢壘二極管,幾乎沒有恢復能量,因此可將二極管開關損耗降至最小。此外,由于在開啟模式下恢復電流不必由IGBT處理,因此顯著降低了IGBT的開啟損耗。當將該產品用于車載充電器時,在這兩種效應的共同作用下,其損耗與傳統IGBT相比降低67%,與超級結MOSFET(SJ MOSFET)相比降低24%,從而進一步提高性價比,并降低工業和汽車應用中的功耗。



    據了解,前段時間羅姆(ROHM)舉辦了在線發布會,細致介紹了放大器和比較器的作用以及羅姆在這上面的布局。此外,羅姆還推出一款抗EMI性能非常出色的運算放大器“BD8758xYx-C”系列,新產品具備“EMARMOURTM系列”中超高的抗干擾性能,有助于減少異常檢測系統的設計工時并提高系統可靠性。



    羅姆上海技術中心的FAE朱莎勤提到,影響運算放大器精度的參數包括輸入偏置電流,輸入失調電壓,以及等效輸入噪聲電壓,這些都是運算放大器自身的參數。通過優化這些參數,使傳感器系統的精度得以提高。



    該產品已經于2021年5月份量產,同時該系列中還有4通道產品尚在開發中。羅姆稱,未來將會繼續擴大新產品陣容,并且還會將高抗干擾技術應用到電源IC等產品中,為進一步減少各種應用的設計工時和提高應用的可靠性貢獻力量。


    相關文章