<acronym id="6n1lx"></acronym>
    <acronym id="6n1lx"></acronym>
    <td id="6n1lx"><ruby id="6n1lx"></ruby></td>

    <acronym id="6n1lx"><strong id="6n1lx"></strong></acronym>

    <track id="6n1lx"></track>

    第三代半導體實現突破!200mm碳化硅晶圓問世,國產還是慢了一步

    近年來,隨著有關方面不斷加大封鎖力度,中國半導體產業逐漸意識到在技術水平上與國外之間的巨大差距。

    盡管我國已經在盡全力追趕海外,并且試圖從材料、光源等方面彎道超車,但在明顯差距面前,國產還是慢人一步。


    7月27日多方媒體消息,意法半導體中國的官方微信宣布:意法半導體瑞典北雪平工廠成功制造出首批8英寸(200mm)碳化硅晶圓片。

    眾所周知,現階段傳統硅基晶圓是市場主流,但隨著工藝制程的不斷微縮,摩爾定律即將面臨物理極限,各大企業以及科研團隊開始從材料方面下功夫。


    碳基晶圓被業界認為是下一代主流芯片原料,而碳化硅則屬于第三代半導體材料的典型代表。

    作為一種寬禁帶化合物半導體材料,碳化硅的優點非常明顯。

    根據資料顯示,碳化硅具備禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、大功率以及抗輻射等特制。而且在開關速度以及效率方面也有著明顯優勢,能夠起到大幅度降低產品功耗、減小產品體積的作用。


    得益于此,碳化硅半導體器件可以被廣泛應用于高壓輸變電、軌道交通、通訊基站等重要領域。

    不過,這類材料并非完美無缺,碳化硅有諸多優點,也有著明顯的缺陷。

    據筆者了解,碳化硅不同于傳統硅材料,其生長效率非常低,而且生長出來的體積相對較小。


    在一般情況下,碳化硅材料只能制備出100mm或150mm的晶圓。

    此外,碳化硅的硬度非常高,即便與金剛石相比,這類材料的莫氏硬度也只低0.5左右。正所謂剛過易折,硬度如此高的碳化硅非常脆,導致制備損耗非常高,良率很低。

    在2021產業和技術展望研討會上,英飛凌電源與傳感系統事業部市場總監程文濤曾表示:“碳化硅材料的加工門檻非常高,因此目前這個行業主要的碳化硅廠商,都是一些IDM廠商。”


    例如Cree和美國的II-VI公司,這兩大巨頭占據了全球75%以上的市場。故而,意法半導體成功制造出首批200mm碳化硅晶圓片的消息,令整個業界都為之震驚。

    由此可見,歐美國家的企業已經進入下一階段,在海外愈發密不透風的封鎖下,我國需要付出更大的努力才能夠追上并超越。


    相關文章