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      多地政策力挺,第三代半導體有多火?

      第三代半導體,全球必爭之地

      近年來,第三代半導體成為我國重點鼓勵的對象,為促進第三代半導體行業的發展,國家鼓勵政策頻發,地方積極響應。


      2020年,我國各地方發布第三代半導體相關政策16條,覆蓋了12個省(含直轄市)。從2020年各省市發布的相關政策來看,雖然2020年度沒有頒布專項政策,但第三代半導體作為半導體產業的重點方向,得到了各省市的系統布局和重視。



      2021年,浙江、山西、東莞等地近期先后發布“十四五”規劃和相關政策,點名著重發展第三代半導體。

      浙江:

      開展第三代半導體知識產權攻關

      6月28日,浙江省發展改革委、省市場監管局印發《浙江省知識產權發展“十四五”規劃》(簡稱《浙江規劃》)。《浙江規劃》提出了十大工程,其中提及集成電路、芯片等內容。《浙江規劃》中提出,要在加快集成電路產業鏈發展,開展第三代半導體芯片、專用設計軟件、專用設備與材料、關鍵射頻器件、高端光器件等關鍵領域知識產權攻關,加快毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片的知識產權布局儲備,有效化解產業鏈風險。

      山西:

      打造第三代半導體全產業鏈基地

      日前,《山西省“十四五”新裝備規劃》(簡稱《山西規劃》)發布,《山西規劃》中提出,重點發展砷化鎵第二代半導體、碳化硅與氮化鎵第三代半導體等產品生產及檢測裝備,提高半導體工藝及產品良品率。進一步延伸發展智能終端、集成電路、新型顯示、智能傳感器等電子產品,實現電子信息裝備制造業智能化發展。積極引入上游裝備制造以及下游器件設計、封裝和應用企業,打造國際有影響力的第二代及三代半導體全產業鏈產業基地。

      東莞:

      重點發展第三代半導體材料

      5月31日,東莞市人民政府印發《東莞市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》(以下簡稱《規劃綱要》)的通知。根據《規劃綱要》,東莞將大力培育新興產業。加快培育新材料、新能源、生命健康、人工智能、數字經濟、海洋經濟等新興產業,重點發展第三代半導體材料、電子新材料、高性能功能陶瓷和硬質合金等結構材料和功能材料等前沿新材料產業。

      廣東:

      積極發展第三代半導體、高端SOC

      4月25日,廣東省人民政府發布《廣東省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》(以下簡稱《十四五規劃綱要》)。《十四五規劃綱要》提出,加強產業技術創新平臺建設。聚焦未來通信高端器件、新型顯示技術、第三代半導體、干細胞、體外診斷、醫療器械、新材料等優勢領域。

      珠海

      將打造華南第三代半導體示范區

      4月21日,珠海政府網全文發布了《珠海市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》。規劃提出要打造華南地區第三代半導體發展示范區,做強軟件和集成電路設計省級戰略性新興產業基地和軟件產業國家高技術產業基地。

      廣西:

      謀劃布局第三代半導體未來產業

      近日,《廣西壯族自治區國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》(以下簡稱《十四五規劃》)印發。《十四五規劃》指出,十四五期間,為培育發展戰略性新興產業和未來產業,廣西將超前布局未來產業。謀劃布局生物工程、第三代半導體、人工智能、量子信息、氫能與儲能等未來產業,積極培育“蛙跳”產業。

      上海臨港:

      支持第三代半導體和工藝線建設

      SENSINGEWORLD

      3月3日,上海臨港新片區發布《中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區集成電路產業專項規劃(2021-2025)》(下文簡稱為《規劃》)。《規劃》中表示目標是到2025年,形成新片區集成電路綜合性產業創新基地的基礎框架。《規劃》中提出推動化合物半導體產業實現由國內引領向國際領先跨越。推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設,面向5G、新能源汽車等應用場景,加快化合物半導體產品驗證應用。

      內蒙古:

      碳化硅等新材料用電列入優先交易范圍

      2月4日,內蒙古發改委、工信廳發文,對部分行業電價政策和電力市場交易政策進行調整。其中提到,符合產業政策的大數據中心、光伏新材料及應用(單晶硅、多晶硅、晶體切片、組件等)、稀土新材料及應用、半導體材料(電子級晶體材料、碳化硅等)行業生產用電及新能源汽車充電站、5G基站(包括配套機房、核心樞紐機房)、電供熱等設施用電列入優先交易范圍。

      應用市場廣闊前景

      第三代半導體是材料的變更并非是升級換代,第三代半導體使用的主要材料為碳化硅、氮化鎵,這將更適合用于一些高溫、高頻以及抗輻射的設備中。

      據Yole數據顯示,到2020年底,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的全球市場將增長到 8.54 億美元,其中,碳化硅(SiC )市場規模約為 7.03 億美元,氮化鎵(GaN)市場規模約為1.5億美元。到2025年碳化硅(SiC)市場規模將超過30億美元,氮化鎵(GaN)市場規模將超過6.8億美元。

      第三代半導體是一個“新領域”,在實際應用中也占據著十分重要的地位,在軍事、新能源和高頻通信等領域都有重要作用和巨大的應用潛力,尤其是在新能源汽車和5G領域,我國是該領域中市場應用最大的國家,有著廣泛的市場前景。

      我國在SiC、GaN等第三代半導體功率器件方面緊跟世界前沿,其相關標準的研究和制定也是近幾年半導體材料領域的熱點。據專業研究機構統計,目前第三代半導體現行國家標準和行業標準共18項(產品標準3項),SiC材料現行6項國家標準和7項行業標準;GaN材料現行5項國家標準。


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