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      士蘭微電子推出內置大功率MOSFET的SSR反激電源管理芯片SDH8666Q/SD8666QS

      士蘭微電子推出了內置大功率MOSFET的SSR反激電源管理芯片SDH8666Q系列,該系列產品是士蘭微電子新一代SSR反激控制芯片,采用了自有專利EHSOP5貼片封裝,內置高壓大功率MOSFET,可廣泛適用于36W適配器或48W開放環境,包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等。系列產品包括:

      士蘭微電子此次推出的SDH8666Q系列產品有諸多優勢:產品采用自有專利EHSOP5貼片封裝,更適于自動化生產;封裝厚度僅為1.6mm,是TO252封裝的2/3,對外殼溫升影響更小;Rthja為60℃/W,與TO252相當,而Rthjc僅為1.05℃/W,是TO252封裝的1/2,更有利于散熱。封裝效果如下圖所示:


       
      ▲EHSOP5          ▲TO252
       
      ▲EHSOP5            ▲TO252
       
      ▲EHSOP5               ▲TO252

      此外,該系列產品內置了專利高壓EDMOS,也采用了專利高壓啟動控制電路,省略傳統電路的啟動電阻,待機功耗低至40mW,具有快速啟動,輕載高效等優點。在啟動過程中采用高壓耗盡型MOSFET進行高壓充電,芯片啟動后高壓啟動控制器控制該MOSFET關斷,相比其他高壓啟動方式可靠性更高,更易通過雷擊浪涌測試。

      全系列產品滿足CoC V5 Tier 2能效,采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中,產品優化了QR模式抖頻控制,在系統工作于CCM或QR模式時采用不同的抖頻策略,優化抖頻控制,降低系統EMI噪聲。QR模式下,采用優化抖頻后的IC比無抖頻IC的傳導噪聲低5dB左右。

      值得注意的是,該系列產品具有VCC HOLD功能,防止輕載或動態切換時芯片欠壓重啟,產品還具有完善的保護功能,包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown In/Brown Out,輸出OVP,原邊電流采樣電阻短路保護,輸出短路保護,副邊整流管短路保護等。目前該系列電路已經大批量銷售,獲得了市場的青睞。

      SDH8666Q(內置高壓啟動電路)和SD8666QS的典型應用分別如下圖所示:


        
      12V/3A DEMO(75mm*45mm*23mm)效果如下圖所示:
       


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