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      中國半導體功率器件設計領軍者——無錫新潔能登陸A股

      9月28日,中國半導體功率器件設計領軍者——無錫新潔能股份有限公司(股票簡稱“新潔能”、股票代碼“605111”)在上交所主板正式掛牌上市,本次A股發行價為19.91元/股,發行數量為2530萬股,保薦機構(主承銷商)為平安證券股份有限公司。

      連續4年榮膺“中國半導體功率器件十強企業”

      新潔能成立于2013年1月,專業從事MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售。公司是專業化垂直分工廠商,芯片主要由公司設計方案后交由芯片代工企業進行生產,功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業對芯片進行封裝測試而成。公司已初步完成部分先進封裝測試生產線的建設,將部分芯片自主封裝成品后對外銷售。公司產品系列齊全,廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等領域。自2016年以來,公司連續4年名列中國半導體行業協會發布的“中國半導體功率器件十強企業”,為國內領先的半導體功率器件設計企業之一。

      新潔能基于全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品,是國內率先掌握 超結理論技術,并量產屏蔽柵功率 MOSFET 及超結功率 MOSFET 的企業之一, 是國內最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 及 IGBT 四大產品平臺的本土企業之一,為國內 MOSFET 等功率器件 市場占有率排名前列的本土企業。憑借先進的技術、豐富的產品種類、卓越的品質和優質的客戶服務水平,取得了客戶的廣泛好評和較好的市場口碑。

      根據招股說明書,新潔能將進一步依托技術、品牌、渠道等綜合優勢,結合大尺寸晶圓(8 英寸、12 英寸)先進工藝技術,開拓國際先 進功率器件封裝制造技術,全力推進高端功率 MOSFET、IGBT 的研發與產業化, 持續布局半導體功率器件最先進的技術領域,并投入對 SiC/GaN 寬禁帶半導體、 智能功率器件的研發及產業化,提升其核心產品競爭力和國內外市場地位。

      新潔能產品器件結構不同、功能有所差異,主要分類包括溝槽型功率 MOSFET、超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)以及功率模塊等多品類產品系列。


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      新潔能的產品用途廣泛,主要運用于消費電子、汽車電子、工業電子以及新能 源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等新興領域。 產品下游運用行業情況如下圖所示:


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